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3DD2498 (ETC) : Total 2 Pages

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华晶分立器件
3DD2498
低频放大管壳额定双极型晶体管
1. 概述与特点
3DD2498 NPN 型高反压大功率晶体管, 主要用作 21 英寸彩电开关电源,该产品采用台面结
构工艺。其特点如下:
击穿电压高、漏电流小
开关速度快
饱和压降低
电流特性好
封装形式:TO-3P(H)IS
2. 电特性
2.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
符号
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率 Ta=25
Tc=25
VCE0
VCB0
VEB0
IC
Ptot
结温
贮存温度
Tj
Tstg
额定值
600
1500
5
6
3
50
150
-55150
单位
V
V
V
A
W
2.2 电参数
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
下降时间
ICB0
IEB0
hFEa
VCEsata
VBEsata
tf
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp300μs,δ≤2%
VCB=1500V, IE=0
VEB=5V, IC=0
VCE=5V, IC=1A
IC=4A, IB=B 0.8A
IC=4A, IB=B 0.8A
VCC=105V, IC=4A
2IB1=-IB2=0.8A
VCE=10V, IC=0.1A
f=0.3MHz
规范值
最小 典型 最大
1
10
8 40
5
1.2
1
单位
mA
μA
V
V
μs
1 MHz
无锡华润华晶微电子有限公司
地址:江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话:0510-85807228-3399 传真:0510-85807228-2227
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
电邮:apply@crhj.com.cn
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华晶分立器件
3DD2498
3. 特性曲线
IC (A)
1
0.1
0.01
1
安全工作区(直流)
Tcase=25
10 100 VCE (V)
Ptot (W)
40
30
20
10
0
0
Ptot - T 关系曲线
Ptot-Tcase
Ptot-Tamb
50 100
T()
hFE - IC关系曲线
VBEsat - IC关系曲线
hFE VBEsat (V)
Tamb=25
Tamb=25
VCE=5V
1.2
IC/IB=B 5
10 0.8
1
0.01 0.1
1 IC (A)
VCEsat (V)
VCEsat-IC关系曲线
Tamb=25
IC/IB=5
0.4
0.1
1 IC (A)
1
0.1
0.1
1 IC(A)
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