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F0118J (OSRAM) : Total 7 Pages

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GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge)
GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil)
F 0118J
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im
Topled® Gehäuse.
Chipgröße 300 x 300 µm2
GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
Vorderseitenmetallisierung: Aluminium
Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung
Anwendungen
IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Lichtschranken bis 500 kHz
Sensorik
Features
Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in
Topled® package.
Chip size 300 x 300 µm2
Very highly efficient GaAlAs LED
High reliability
High pulse handling capability
Good spectral match to silicon
photodetectors
Frontside metallization: aluminum
Backside metallization: gold alloy
Applications
IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
Remote control for steady and varying
intensity
Light-reflection switches (max. 500 kHz)
Sensor technology
Typ
Type
F 0118J
Bestellnummer
Ordering Code
Q67220-C1350
Beschreibung
Description
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss
Rückseite AuGe Eutektikum
Infrared emitting die, top side anode connection
Backside AuGe eutectic alloy
2002-02-21
1



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F 0118J
Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25 °C)
Electrical values (measured on TO18 header without resin, TA = 25 °C)
Bezeichnung
Symbol
Wert1)
Parameter
Symbol
Value1)
min. typ.
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax,
IF = 10 mA
Spectral bandwidth at 50% of Imax
Sperrspannung
Reverse voltage
IF = 10 µA
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf
10%, bei IF = 100 mA, RL = 50
Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90%
to 10%, IF = 100 mA, RL = 50
Durchlaβspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
Gesamtstrahlungsfluβ4)
Total radiant flux4)
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak
∆λ
VR
tr, tf
VF
Φe
5
7
950
55
30
500
1.4
12
max.
1.6
Einheit
Unit
nm
nm
V
ns
V
mW
2002-02-21
2



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Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Chipkantenlänge (x-Richtung)
Length of chip edge (x-direction)
Chipkantenlänge (y-Richtung)
Length of chip edge (y-direction)
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
Chiphöhe
Die height
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
Bezeichnung
Parameter
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Rückseitenmetallisierung
Metallization backside
Trennverfahren
Dicing
Verbindung Chip - Träger
Die bonding
F 0118J
Symbol
Symbol
min.
Lx 0.28
Ly 0.28
D
H 225
d
Wert1)
Value1)
typ.
0.3
max.
0.32
Einheit
Unit
mm
0.3 0.32 mm
76.2
mm
240 255 µm
130 µm
Wert
Value
Aluminium
Aluminum
AuGe Eutektikum
AuGe eutectic alloy
Sägen
Sawing
Legieren
Eutectic bonding
2002-02-21
3



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fj
Grenzwert3) ( gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25°C)
Maximum Ratings3) (measured on TO18 header without resign, TA = 25°C)
Bezeichnung
Symbol
Wert
Parameter
Symbol
Value
Maximaler Betriebstemperaturbereich
Maximum operating temperature range
Top
- 40...+100
Maximaler Lagertemperaturbereich
Tstg - 40...+100
Maximum storage temperature range
Maximaler Durchlaßstrom
Maximum forward current
IF 100
Maximaler Stoßstrom
Maximum surge current
IS 3
Maximale Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
Tj 125
F 0118J
Einheit
Unit
°C
°C
mA
A
°C
2002-02-21
4






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